Encore au stade de prototype, la nouvelle technologie de semi-conducteur d’IBM serait 45% plus performante que les puces gravées en 7 nanomètres. Les avantages de cette nouvelle puce : beaucoup plus d’autonomie, les smartphones pouvant être rechargés tous les quatre jours par exemple. Ce micro-processeur gravé en 2 nanomètres pourrait en outre réduire l’empreinte carbone des centres de données, doper la performance des notebooks et renforcer les systèmes de chiffrement par hardware. De même ces nouveaux processeurs vont pérenniser le edge computing : performances accrues et efficacité énergétique. Cette puce pourrait par exemple permettre d’améliorer la vitesse de reconnaissance des objets par les véhicules autonomes.
Le tableau publié par AnandTech permet de se rendre compte de cette densité exceptionnelle de transistors que l’on calcule en méga-transistor par millimètre carré (MTr/mm2).
Pour exemple la puce M1 de Apple est fabriqué à partir d’un procédé de gravure en 5 nanomètres et compte 16 milliards de transistors. Celle en 2 nanomètres d’IBM tout en étant de la taille d’un ongle, intègrera jusqu’à 50 milliards de transistors ! IBM propose ainsi 333 millions de transistors sur un millimètre carré. Concernant la statique des transistors Gate-All-Around_nanosheet (ces transistors GAA à 3 piles d’IBM possèdent une hauteur de cellule de 75 nm, une largeur de cellule de 40 nm et chaque nanofeuille a une hauteur de 5 nm, séparées les unes des autres de 5 nm) bien que cela ne soit pas explicitement indiqué par IBM, l’ images montre que ce nouveau processeur 2 nm utilise une conception GAA à trois piles.
Selon IEEE Spectrum (média édité par l’institut des ingénieurs en électricité et électronique), cette puce encore au stade de prototype pourrait sortir des usines dès 2024.